在不同電流密度下的分階段電沉積實(shí)驗(yàn)展示了動(dòng)態(tài)的硅通孔
(TSV) 填充過(guò)程。通過(guò)控制外加電流密度，可以獲得對(duì)應(yīng)于
TSV填充結(jié)果的不同形貌。具體來(lái)說(shuō)，低電流密度 (4 mA/
cm 2 ) 會(huì)導(dǎo)致接縫缺陷填充，中等電流密度 (7 mA/cm 2 ) 會(huì)導(dǎo)
致?缺陷填充，??電流密度 (10 mA/cm 2 )) 導(dǎo)致空洞缺陷填
充。填充系數(shù)分析表明，電流密度對(duì)TSV填充模型的影響是
由添加劑和銅離?的消耗和擴(kuò)散的耦合效應(yīng)觸發(fā)的。此外，
鍍層的形態(tài)演變表明局部沉積速率受鍍層?何特征的影響。
硅通孔 (TSV) 是?種很有前途的三維 (3D) 封裝技術(shù)，具有
?性能、減小封裝體積、低功耗和多功能等優(yōu)點(diǎn)。在 TSV ?
藝中，通常使用銅電化學(xué)沉積 (ECD) 進(jìn)?的通孔填充步驟占
總成本的近 40% 。作為 TSV 的核?和關(guān)鍵技術(shù)，以小化?
藝時(shí)間和成本的?缺陷填充備受關(guān)注。

電子涂料 UV固化材料 晶圓劃片保護(hù)液 晶圓臨時(shí)鍵合減薄 導(dǎo)電銀膠 燒結(jié)銀 納米銀 道康寧 COB膠 紅膠 SMT紅膠 航空航天膠 耐高溫膠 灌封膠 鍵合金絲 絕緣涂層鍵合金絲 脫泡機(jī) 平行封焊機(jī) 點(diǎn)膠機(jī) 鍵合機(jī) KS劈刀 SPT劈刀 劈刀 陶瓷劈刀 洛德 漢高 道康寧 陶氏 X-RAY FIB FBI 武藏點(diǎn)膠機(jī) 諾信點(diǎn)膠機(jī) 灌封機(jī) 失效分析 快速封裝 陶瓷管殼封裝 COB封裝 芯片鍵合封裝 清洗液 晶圓清洗液 硅片清洗液 單晶硅清洗液 藍(lán)寶石切割液 陶瓷劃片清洗液 芯片粘接膠 IC粘接膠 IC導(dǎo)電膠 芯片導(dǎo)電膠 IC絕緣膠 漢高樂(lè)泰 漢高代理 漢高膠水 樂(lè)泰膠水 道康寧膠水 洛德膠 結(jié)構(gòu)膠 汽車電子膠 COMS膠 傳感器膠 傳感器灌封膠 電子灌封膠 高導(dǎo)熱環(huán)氧膠 高導(dǎo)熱環(huán)氧灌封膠 高導(dǎo)熱灌封膠 耐低溫膠 光纖膠 尾纖粘接 光通信膠 透光膠 阻光膠 光耦膠 樂(lè)泰代理 ablestik膠 導(dǎo)熱膠 導(dǎo)電導(dǎo)熱膠 玻璃銀膠 導(dǎo)電膠膜 絕緣膠膜 DAF膜 藍(lán)膜 UV藍(lán)膜 UV膜 導(dǎo)電膠脫泡機(jī) 底填膠 脫泡機(jī) 芯片膠 芯片導(dǎo)電膠 芯片粘接膠 芯片絕緣膠 CSP底部填充膠 疊die粘接 疊die導(dǎo)電膠 導(dǎo)電導(dǎo)熱膠膜 5020膠膜 506膠膜 JM7000導(dǎo)電膠 84-1導(dǎo)電膠 ablestik導(dǎo)電膠 漢高導(dǎo)電膠 樂(lè)泰導(dǎo)電膠 洛德灌封膠 樂(lè)泰膠膜 芯片開(kāi)蓋機(jī) 膠水脫泡機(jī) 氣密性檢測(cè) 剪切力檢測(cè) 芯片拉力測(cè)試 芯片陶瓷封裝 芯片金屬封裝 晶圓鈍化設(shè)備 晶圓刻蝕機(jī) TSV晶圓沉積

目前對(duì)TSV填充的研究主要集中在條件優(yōu)化和填充機(jī)理上。
為了實(shí)現(xiàn)?缺陷的 TSV 填充，電鍍?nèi)芤褐械奶囟ㄌ砑觿?br /> 氯離?、抑制劑和促進(jìn)劑進(jìn)?了深?研究 。與特定添加劑和
通孔結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的佳電沉積參數(shù)已被?泛研究。. 在這些參
數(shù)中，電流密度對(duì)填充形態(tài)的影響尤為顯著。盡管特定的添
加劑可以有效地實(shí)現(xiàn)?缺陷填充，但所需的步驟很復(fù)雜，沉
積速率低，相關(guān)成本?。為了克服添加劑輔助填充?法的缺
陷，?泛研究了脈沖電流、脈沖反向電流、周期性脈沖反向
電流和多步電流等電鍍電流波形. 同時(shí)，已經(jīng)引用了?種機(jī)制
來(lái)解釋?缺陷填充過(guò)程，例如傳統(tǒng)的流平模型、對(duì)流相關(guān)吸
附模型、時(shí)間相關(guān)傳輸-吸附模型和曲率增強(qiáng)加速器覆蓋模
型。動(dòng)態(tài) TSV 填充對(duì)于 TSV 填充研究的各個(gè)?面都很重要。
它是優(yōu)化條件的基礎(chǔ)，反映了填充模型的機(jī)制。然?，現(xiàn)有
的研究只關(guān)注在特定時(shí)刻獲得的填充結(jié)果。很少系統(tǒng)地研究
連續(xù)和全面的動(dòng)態(tài) TSV 填充過(guò)程。在這項(xiàng)研究中，我們通過(guò)
在不同電流密度下的分階段電沉積實(shí)驗(yàn)證明了 TSV 動(dòng)態(tài)填充
過(guò)程。獲得了實(shí)現(xiàn)?缺陷填充的佳電流密度。討論了電流
密度對(duì)填充模型的影響。此外，鍍層的形態(tài)演變表明，局部
沉積速率受鍍層?何特征的影響。

北京汐源科技有限公司
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實(shí)驗(yàn)設(shè)備：提供X-RAY FIB 顯微鏡等。FBI 武藏點(diǎn)膠機(jī) 諾信點(diǎn)膠機(jī) 灌封機(jī) 實(shí)驗(yàn)室儀器儀表 TSV電鍍?cè)O(shè)備 鍵合機(jī) 平行封焊機(jī)。
我們的電子化學(xué)材料含括：粘接膠 灌封材料 導(dǎo)電 導(dǎo)熱界面材料 裸芯粘接材料 COB包封材料 CSP/Flip chip/BGA底部填充膠 貼片膠 電子涂料 UV固化材料。應(yīng)用范圍涉及電子元器件 電子組件 電路板組裝 顯示及照明工業(yè) 通訊 汽車電子 智能卡/射頻識(shí)別 航天航空 半導(dǎo)體封裝 晶圓劃片保護(hù)液 晶圓臨時(shí)鍵合減薄 鍵合金絲等領(lǐng)域。

小型噴鍍機(jī)臺(tái)
配備有Stir Cup適用于研發(fā)以及小批量生產(chǎn)。
特別適合于鍍孔，Sn/Ag電鍍，Cu pillar等電鍍制程。
銅凸塊制程即wafer從晶圓加工完成基體電路后，利用涂膠、黃光、電鍍及蝕刻制程等制作技術(shù)通過(guò)在芯片表面制作銅錫凸點(diǎn)，提供了芯片之間、芯片和基板之間的“點(diǎn)連接”，由于避免了傳統(tǒng)Wire Bonding 向四周輻射的金屬“線連接”，減小了芯片面積（封裝效率），此外凸塊陣列在芯片表面，引腳密度可以做得很高，便于滿足芯片性能提升的需求，并具有較佳抗電遷移和導(dǎo)熱能力以及高密度、低阻抗，低寄生電容、低電感，低能耗，低信噪比、低成本等優(yōu)點(diǎn)。