終端應(yīng)用市場對于率、高功率密度、節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求日益增強(qiáng)，與此同時(shí)，各國能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進(jìn)，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性，正在不同的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)光發(fā)熱。

新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應(yīng)用于電動(dòng)車逆變器SiC導(dǎo)線架技術(shù)為例，導(dǎo)線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術(shù)，

目前燒結(jié)銀技術(shù)主要用于對可靠性和散熱高要求的市場，在引線框架制作上除了要提供高可靠度的鍍銀品質(zhì)以符合燒結(jié)銀的搭接技術(shù)以外，由于燒結(jié)銀的膜厚只有20um-50um，不像傳統(tǒng)的錫膏搭接方式可通過錫膏量的調(diào)整補(bǔ)正搭接面平整度不佳造成的搭接問題，燒結(jié)銀的搭接技術(shù)對于搭接處的公共平面度要求公差只有20um，對于這種復(fù)雜的折彎成型式技術(shù)是一大挑戰(zhàn)。

在成型技術(shù)也相當(dāng)困難，由于電鍍銀是局部鍍銀，相較于全鍍，部分鍍銀技術(shù)很難，做模具，且放置芯片處用局部銀，一個(gè)導(dǎo)線架搭兩個(gè)芯片，芯片局部銀，其他引線框架用鎳鈀金，材料差異對引線框架制作是很大的技術(shù)挑戰(zhàn)。

目前，客戶存的大痛點(diǎn)是鍵合時(shí)良率低，善仁新材推出的DTS預(yù)燒結(jié)焊片優(yōu)勢是：提高芯片的通流能力和功率循環(huán)能力，保護(hù)芯片以實(shí)現(xiàn)高良率的銅線鍵合。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）不僅能顯著提高芯片連接的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性，以及芯片連接的可靠性，并對整個(gè)模塊的性能進(jìn)行優(yōu)化，還能幫助客戶提高生產(chǎn)率，降低芯片的破損率，加速新一代電力電子模塊的上市時(shí)間。