廣電計(jì)量提供覆蓋被動(dòng)元件、分立器件和集成電路在內(nèi)的元器件破壞性物理分析(DPA)服務(wù)，其中針對(duì)半導(dǎo)體?藝，具備覆蓋7nm以下芯片DPA分析能?，將問(wèn)題鎖定在具體芯片層或者μm范圍內(nèi)，針對(duì)有水汽控制要求的宇航級(jí)空封器件，提供PPM級(jí)內(nèi)部水汽成分分析，空封元器件特殊使用要求。

電子元器件制造?藝質(zhì)量?致性是電子元器件滿足其用途和相關(guān)規(guī)范的前提。?量假冒翻新元器件充斥著元器件供應(yīng)市場(chǎng)，如何確定貨架元器件真?zhèn)问抢_元器件使用方的?大難題。廣電計(jì)量DPA分析測(cè)試能解決這一系列問(wèn)題，其中檢測(cè)項(xiàng)目包括：
●非破壞性項(xiàng)目：外部目檢、X?射線檢查、PIND、密封、引出端強(qiáng)度、聲學(xué)顯微鏡檢查；
●破壞性項(xiàng)目：激光開(kāi)封、化學(xué)開(kāi)封、內(nèi)部?體成分分析、內(nèi)部目檢、SEM檢查、鍵合強(qiáng)度、剪切強(qiáng)度、粘接強(qiáng)度、IC取芯片、 芯片去層、襯底檢查、PN結(jié)染?、DB FIB、熱點(diǎn)檢測(cè)、漏電位置檢測(cè)、彈坑檢測(cè)、ESD測(cè)試

對(duì)于DPA中暴露的問(wèn)題，只要元器件承制廠所與DPA實(shí)驗(yàn)室緊密結(jié)合，進(jìn)行分析與跟蹤，準(zhǔn)確找出導(dǎo)致缺陷產(chǎn)生的原因，采取有針對(duì)性的整改措施，則大多數(shù)缺陷模式是可以得到控制或消除的。
破壞性物理分析（DPA）技術(shù)不但適用于J用電子元器件，而且也同樣適用于民用電子元器件，如采購(gòu)檢驗(yàn)、進(jìn)貨驗(yàn)貨及生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量監(jiān)測(cè)等均可應(yīng)用DPA技術(shù)。
廣電計(jì)量破壞性物理分析(DPA)測(cè)試能夠?yàn)镴品及民品企業(yè)提供一站式服務(wù)，報(bào)告可靠。

廣電計(jì)量集成電路失效分析實(shí)驗(yàn)室，配備了完善的DPA分析測(cè)試設(shè)備（如3D解析顯微鏡、X射線透射儀、超聲掃描顯微鏡、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡、TEM透射電子顯微鏡、水汽分析儀、各類(lèi)檢漏儀等），具備非破壞性和破壞性測(cè)試的DPA分析能力。

DPA分析是對(duì)潛在缺陷確認(rèn)和潛在危害性分析的過(guò)程，一般是在在元器件經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)、篩選和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)后對(duì)元器件內(nèi)部存在的缺陷進(jìn)行分析，這些缺陷可能會(huì)導(dǎo)致樣品的失效或不穩(wěn)定。與其他分析技術(shù)不同的是，DPA分析是對(duì)元器件進(jìn)行的事前預(yù)計(jì)（而失效分析FA是事后檢查）。在元器件生產(chǎn)過(guò)程中以及生產(chǎn)后到上機(jī)前，廣電計(jì)量DPA分析技術(shù)都可以被廣泛地使用，以檢驗(yàn)元器件是否存在潛在的材料、工藝等方面的缺陷。

電子元器件制造?藝質(zhì)量?致性是電子元器件滿足其用途和相關(guān)規(guī)范的前提。?量假冒翻新元器件充斥著元器件供應(yīng)市場(chǎng)，如何確定貨架元器件真?zhèn)问抢_元器件使用方的?大難題。廣電計(jì)量DPA測(cè)試確定元器件在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中存在的偏差和工藝缺陷，提出批次處理意見(jiàn)和改進(jìn)措施等多方面的檢測(cè)分析需求。