產(chǎn)品型號 | C3216X7R2A105K160AE | |
電容 | 1uf | |
容差 | ±10% | |
電壓 - 額定 | 100v | |
溫度系數(shù) | X7R | |
工作溫度 | -55°C ~ 125°C | |
特性 | 軟端子 | |
產(chǎn)品狀態(tài) | 在售 | |
應(yīng)用 | Boardflex 敏感 | |
系列 | C | |
安裝類型 | 表面貼裝,MLCC | |
封裝/外殼 | 1206(3216 公制) | |
大小 / 尺寸 | 0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm) | |
高度 - 安裝(大值) | - | |
厚度(大值) | 0.063"(1.60mm) |
高壓電容已經(jīng)是市場一種常見的電子元器件,一般是指1KV或者10KV以上的電容。高壓陶瓷電容的主要性在于其,尺寸小,耐壓高,性能穩(wěn)定,不含油,不含氣,不會產(chǎn)生污染和不會有易燃易爆的隱患。那么高壓電容器的主要作用是什么了呢?高壓電容器的主要作用
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高壓電容的優(yōu)點:
1,容量損耗隨溫度頻率具高穩(wěn)定性
2,特殊的串聯(lián)結(jié)構(gòu)適合于高電壓極長期工作可靠性
3,高電流爬升速率并適用于大電流回路無感型結(jié)構(gòu)
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C1608X5R1A106K080AC 10μF ±10% 10 X5R
C1608X5R1A156M080A 15μF ±20% 10 X5R
C1608X5R1E224K080AA 220nF ±10% 25 X5R
C1608X5R1E225K080AB 2.2μF ±10% 25 X5R
C1608X5R1E225K080AE 2.2μF ±10% 25 X5R
C1608X5R1E474K080AC 470nF ±10% 25 X5R
C1608X5R1E475K080AC 4.7μF ±10% 25 X5R
C1608X5R1H102K080AA 1nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H103K080AA 10nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H104K080AA 100nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H105K080AB 1μF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H222K080AA 2.2nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H223K080AA 22nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H224K080AB 220nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H472K080AA 4.7nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H473K080AA 47nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1H474K080AB 470nF ±10% 50 X5R
C1608X5R1V225K080AC 2.2μF ±10% 35 X5R
C1608X5R1V225K080AE 2.2μF ±10% 35 X5R
C1608X5R1V475K080AC 4.7μF ±10% 35 X5R
C1608X7R1A225K080AC 2.2μF ±10% 10 X7R
C1608X7R1A225K080AE 2.2μF ±10% 10 X7R
C1608X7R1C105K080AC 1μF ±10% 16 X7R
C1608X7R1C224K080AC 220nF ±10% 16 X7R
C1608X7R1C474K080AC 470nF ±10% 16 X7R
C1608X7R1E105K080AB 1μF ±10% 25 X7R
C1608X7R1E105K080AE 1μF ±10% 25 X7R
C1608X7R1E224K080AC 220nF ±10% 25 X7R
C1608X7R1E474K080AB 470nF ±10% 25 X7R
C1608X7R1H103K080AA 10nF ±10% 50 X7R
C2012X8R1E105K12E 1μF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E154K08A 150nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E154K08E 150nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E224K12A 220nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E224K12E 220nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E334K12A 330nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E334K12E 330nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E474K12B 470nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E474K12E 470nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E684K12C 680nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1E684K12E 680nF ±10% 25 X8R
C2012X8R1H104K12A 100nF ±10% 50 X8R
C2012X8R1H104K12E 100nF ±10% 50 X8R
C2012X8R1H154K12B 150nF ±10% 50 X8R
C2012X8R1H154K12E 150nF ±10% 50 X8R
C2012X8R1H224K12B 220nF ±10% 50 X8R
C2012X8R1H224K12E 220nF ±10% 50 X8R
C2012X8R2A223K12A 22nF ±10% 100 X8R
C2012X8R2A223K12E 22nF ±10% 100 X8R
C3216X5R1A107M160AC 100μF ±20% 10 X5R
C3216X7T2E224K160AA 220nF ±10% 250 X7T
C3216X8L1C106K160AC 10μF ±10% 16 X8L
C3216X8L1C685K160AC 6.8μF ±10% 16 X8L
C3216X8L1E106K160AC 10μF ±10% 25 X8L
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