晶圓經(jīng)過前道工席后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同:
厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產(chǎn)效率將大大降低;
厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會對晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復雜。

刀痕，自動校準基準線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進行測高并同步切割作業(yè)時對切割刀刃進行實時檢測。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置，能對加工物進行清洗。半自動劃片機LX3356機臺可作業(yè)8時wafer，含自動光學補償、聚焦及自特征點功能，配有高低倍兩種鏡頭，可用于切割道寬度測量、基準線補償調(diào)整等。可自動檢測切割刀痕，自動校準基準線位置，防止崩邊過大及切片造成良率的損失。能進行測高并同步切割作業(yè)時對切割刀刃進行實時檢測。

切片工序的關鍵部分是切割刀片的修整(dressing)。在非監(jiān)測的切片系統(tǒng)中，修整工序是通過一套反復試驗來建立的。在刀片負載受監(jiān)測的系統(tǒng)中，修整的終點是通過測量的力量數(shù)據(jù)來發(fā)現(xiàn)的，它建立佳的修整程序。這個方法有兩個優(yōu)點:不需要來佳的刀片性能，和沒有合格率損失，該損失是由于用部分修整的刀片切片所造成的質量差。

藍膜由于受其溫度影響乃粘性度會發(fā)生變化，而且本身粘性度較高，因此，一般較大面積的芯片或者wafer減薄劃切后直接進行后封裝工藝，而非直接進行倒封裝工藝做Inlay時，可以考慮使用藍膜。
晶圓倒片機是用來調(diào)整集成電路產(chǎn)線上晶圓生產(chǎn)材料序列位置的一款設備，它的任務是將產(chǎn)線上的晶圓通過制程需要進行分批、合并、翻轉后進行下一道程序，這就要求晶圓倒片機擁有的傳送效率和潔凈程度。通俗來講，更方便制造芯片，并且能夠在高度環(huán)境要求下制造更好的芯片。
外圓切割組然操作簡單，但據(jù)片剛性差，切割全過程中鋸片易方向跑偏.造成被切割工們的平面度差；而內(nèi)圓切割只有進行直線切割，沒法進行斜面切割。線鋸切割技術具備割縫窄、率、切成片、可進行曲線圖切別等優(yōu)點成為口前普遍選用的切割技術。

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